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  • 2024-4-10     DEI Blog_04.10.24
    辐射,尤其是高水平辐射,对晶体和振荡器的性能产生显著影响。电离辐射导致原子电离,非电离辐射则通过加热效应影响电子组件。辐射可能引发晶体位移损伤、电离损伤和总电离剂量效应,导致频率变化和性能退化。同时,振荡器电路也会受到半导体阈值电压变化、泄漏电流增加和单粒子效应等影响。为减轻这些影响,需采取耐辐射材料选择、辐射屏蔽、电路设计优化等策略。理解这些影响并采取相应措施,是确保电子系统在高辐射环境中可靠运行的关键。
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