新闻公告
  • 2026-6-17     DEI Blog_06.17.26
    本文剖析 SC 切晶体老化性能优于 AT 切的核心成因。SC 切凭借专属应力补偿切角,从根源抵消机械与热应力,搭配更低的装配与镀膜内应力、高温零温漂最优工作点、高线性度频漂特性、强环境抗扰能力与更高 Q 值谐振特性,大幅抑制长期频率漂移、减缓器件老化,性能表现稳定且可预判校准,是长周期、高精度、高可靠 OCXO 精密授时场景的核心优选。
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  • 2026-6-16     DEI Blog_06.16.26
    本文对比 OCXO 中 SC 切与 AT 切晶体的老化性能,SC 切凭借应力补偿结构,年老化速率仅为 AT 切的十分之一,长期累积频漂更低、时序一致性更强,抗温度与机械应力效果优异,可大幅延长校准周期、降低运维成本。适合 5G 基站、卫星航天、精密仪器等长期高精度场景;而 AT 切老化漂移偏大,仅适用于普通消费与低成本物联网设备。
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  • 2026-6-15     DEI Blog_06.15.26
    在高性能 OCXO 中,SC 切晶体相比传统 AT 切晶体具备全方位性能优势,拥有更优异的宽温频率稳定性、更低应力敏感度、极低老化漂移与更佳相位噪声,且具备零温漂工作拐点,可在大幅温度波动与机械扰动下保持超高时序精度。SC 切晶体凭借极致的长期稳定性与纯净信号特性,成为 5G 通信、卫星导航、军工雷达与精密测试设备高端 OCXO 的核心优选,而 AT 切晶体仅适用于普通精度、成本优先的通用场景。
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  • 2026-6-12     DEI Blog_06.12.26
    石英晶体切割角度直接决定 OCXO 的温频特性与整体稳定性。本文对比 AT 切与 SC 切两种主流晶振切割方式,阐明切割角度影响温度漂移、应力敏感度与长期精度的核心原理。优化角度设计的 SC 切晶体温漂极小、抗应力更强、宽温稳定性远超 AT 切,可支撑 5G、卫星通信、航空航天等高端高精度授时场景,是高性能 OCXO 实现超高频率稳定度的关键。
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