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产品型号 频率
(MHz)		 输出类型 频率稳定度
(ppm)		 供电电压
(V)		 工作温度范围
(°C)		 封装尺寸
长 x 宽 x 高
(mm)		 规格书
TCXO2520S 10 to 52 Clipped Sinewave 0.5 to 2.5 1.8, 2.5, 2.8 -20 to +70
-30 to +85
-40 to +85 		2.5 x 2.0 x 0.7
TCXO3225S 13 to 52 Clipped Sinewave 0.5 to 2.5 1.8, 2.5, 3 -20 to +70
-40 to +85
-30 to +85 		3.2 x 2.5 x 1.0
TCXO5300S 10 to 26 HCMOS, Clipped Sinewave 0.5, 1 3.3, 5 -20 to +70
-30 to +85
-40 to +85 		5.0 x 3.2 x 1.1
TCXO7500S 5 to 52 HCMOS, Clipped Sinewave 0.5, 1 2.5, 3.3 -20 to +70
-30 to +85
-40 to +85 		7.0 x 5.0 x 2.0
TCXO3413 1.6 to 156 LVCMOS 1 3.3 -40 to +85 7.0 x 5.0 x 2.0
TCXO2013BE-27.095MHz-A 27.095 Sinewave ±2.0ppm 5 -40 to +85 20x13x7.5mm
TCXO1811S-28MHz 28 Clipped Sinewave ±1.5 5 -40 to +85 21.3 x 11.7 x 4.5
TCXO7500BM-49.152MHz-A-V 49.152 CMOS ±1.0 3.3 -40 to +85 7.0 x 5.0 x 1.9
TCXO2522BE-400MH-B-V 400 Sinewave ±1.0 5 -40 to +85 25.4 x 22 x 12.8
TCXO1811BE_Sine-25MHz-2-2-2 25 Sinewave ±1.0 5 -10 to +60 18.3 x 11.7 x 7
TCXO1811BE_Sine-55.7MHz-2-2-2 5 Sinewave ±1.0 5 -10 to +60 18.3 x 11.7 x 7
TCXO1811BE_Sine-60.7MHz-2-2-2 60.7 Sinewave ±1.0 5 -10 to +60 18.3 x 11.7 x 7
TCXO1811BE_Sine-80.7MHz-2-2-2 80.7 Sinewave ±1.0 5 -10 to +60 18.3 x 11.7 x 7
TCXO1812BE_HCMOS-60MHz-3-1-1-1 60 HCMOS ±0.5 3.3 -20 to +70 18.5 x 11.7 x 11
TCXO1811-V_Sine 1-600 Sinewave ±0.5 3.3, 5 -40 to +85 18.3 x 11.7 x 7
TCXO1811-V_HCMOS 0.001-250 HCMOS ±0.5 3.3, 5 -40 to +85 18.3 x 11.7 x 7
TCXO2111BE-V_Sine 1-600 Sinewave ±0.5 3.3, 5 -40 to +85 21.3 x 11.7 x 4.5
TCXO2111BE-V_HCMOS 0.001-250 HCMOS ±0.5 3.3, 5 -40 to +85 21.3 x 11.7 x 4.5
TCXO2111BE-V_CLS 6-190 Clipped Sinewave ±0.5 3.3, 5 -40 to +85 21.3 x 11.7 x 4.5

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