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[新闻公告]   SC 切晶体较高的 ESR 如何影响频率稳定性

2026-6-29     DEI Blog_06.29.26

SC 切晶体较高的 ESR 会带来环路损耗、轻微自热效应与驱动电平敏感度，小幅影响短期频率特性。但依托 SC 切原生应力补偿、高 Q 值、超低老化特性，搭配 OCXO 精密恒温控制与优化振荡电路，可完全抵消高 ESR 带来的微弱扰动，不会损伤长期、宽温与相位噪声性能。整体来看，高 ESR 属于可工程优化的次要短板，不影响 SC 切晶体远超 AT 切的顶级频率稳定优势。
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[新闻公告]   较高 ESR 对 SC 切晶体启动时间的影响

2026-6-26     DEI Blog_06.26.26

SC 切晶体因等效串联电阻（ESR）较高，会增大谐振回路损耗、延缓振荡建立，从而轻微延长 OCXO 启动时间。这一问题可通过优化电路负阻、提升驱动电平等设计手段有效改善。尽管启动速度略逊于 AT 切，但其凭借极低老化率、优异宽温稳定性、低相位噪声和强抗应力能力，在 5G 基站、航天、雷达等高端精密授时场景中仍具备不可替代的核心价值，启动延迟的微小代价完全可被其顶级性能所覆盖。
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[新闻公告]   理解 SC 切晶体较高等效串联电阻（ESR）的影响

2026-6-25     DEI Blog_06.25.26

SC 切晶体虽具备卓越的频率稳定度与老化性能，但其等效串联电阻（ESR）高于 AT 切晶体，会对振荡电路的环路增益、起振速度、设计复杂度及整机功耗带来一定挑战，同时存在杂散谐振风险与更高的制造成本。不过凭借其极低的老化率、优异的应力抗性、高 Q 值与出色相位噪声，在高精度 OCXO、5G 通信、航空航天及测试仪器等核心场景中仍不可替代，通过电路优化可有效管控 ESR 带来的不利影响。
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[新闻公告]   应力补偿在提升 SC 切晶体老化性能中的核心作用

2026-6-24     DEI Blog_06.24.26

应力补偿是 SC 切晶体相较于 AT 切实现超低老化、超高长期稳定的核心机制，可有效抵消装配镀膜、振动姿态、温度循环带来的各类应力干扰，大幅降低应力诱发的频率漂移。该特性使 SC 切晶体老化速率降低一个数量级，老化曲线线性平稳、可预判补偿，且全温域抗老化性能优异，能够减少设备校准频次、降低运维成本，是 OCXO 在 5G 通信、航空航天、精密仪器等高端场景实现长期高精度授时的关键。
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DEI Blog_09.19.25 DEI Blog_02.08.24 DEI Blog_01.13.25 DEI Blog_08.13.25 DEI Blog_05.26.26 DEI Blog_02.16.24 DEI Blog_08.01.24 DEI Blog_05.22.25 DEI Blog_10.25.24 DEI Blog_03.19.25 DEI Blog_04.27.26 抗冲击 DEI Blog_08.26.26 DEI Blog_02.12.24 DEI Blog_03.21.25 DEI Blog_03.25.24 DEI Blog_01.02.25 DEI Blog_04.07.26 高频、低相位噪声、高性价比、OCXO DEI Blog_10.30.25 DEI Blog_08.05.24 DEI Blog_06.12.24 DEI Blog_09.06.23 DEI Blog_07.10.25 DEI Blog_05.06.26 DEI Blog_05.13.25 DEI Blog_03.05.25 低重力加速度 DEI Blog_03.27.24 DEI Blog_01.20.25 DEI Blog_08.14.24 DEI Blog_08.28.26