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[新闻公告]   新产品发布：TCXO温补晶振 - 贴片式方波输出温补晶振VCTCXO1912BE_HCMOS

2026-7-16     DEI Blog_07.16.26

VCTCXO1912BE_HCMOS 是迪拉尼工程推出的 19.8×12.5mm 贴片式温补晶振，频率覆盖 1kHz–250MHz，具备 ±0.5ppm 温频稳定性、低相位噪声与优异抗环境特性，支持宽温工作并通过美军标可靠性测试，适配自动化生产与定制需求，广泛应用于射频通信、卫星系统、高精度定位及雷达测控等工业级高精度时钟场景。
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[新闻公告]   SC cut 与 BT cut 晶体对比：为何 SC cut 技术引领精密频率控制

2026-7-15     DEI Blog_07.15.26

SC 切与 BT 切是两种常用石英晶体切型，BT 切成本较低、适用于中精度场景，而 SC 切凭借应力补偿结构，在频率稳定性、老化率、抗振性、Q 值及相位噪声等方面全面领先，对环境与应力敏感度更低，是高端 OCXO 和精密授时的理想选择。尽管成本更高，但其在 5G、航天、雷达、科研仪器等关键领域的性能价值远超成本，成为精密频率控制的主流技术。
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[新闻公告]   电压稳定性在 SC cut 晶体中的作用：实现顶级 OCXO 性能的关键参数

2026-7-14     DEI Blog_07.14.26

电压稳定性是充分释放 SC 切晶体 OCXO 顶级性能的核心关键。SC 切晶体本身电压波动容忍度高，但供电偏差、过压超限、激励电平失衡与恒温槽电压不稳，仍会引发相位噪声恶化、频漂增大、应力疲劳与加速老化。精准管控供电电压、激励功率、压控精度与温控电压，搭配低噪声稳压设计，可充分发挥 SC 切超高稳定、低老化的固有优势，全面提升精密授时设备的长期精度与可靠性。
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[新闻公告]   电压如何影响 SC‑cut 晶体的寿命与整体性能

2026-7-13     DEI Blog_07.13.26

供电电压是影响 SC 切晶体性能与使用寿命的关键因素。过压与电压波动会引发机电应力、电极损耗、热疲劳问题，加速晶体老化、恶化相位噪声与频率稳定度。SC 切晶体虽具备极低电压敏感度，但仍需稳定低纹波供电与合规激励电平。严格遵循标准电压范围、优化稳压设计并做好电源保护，可有效降低老化速率、维持高 Q 值性能，最大化 OCXO 长期精度与工作寿命。
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DEI Blog_08.12.24 DEI Blog_03.11.24 DEI Blog_09.06.24 DEI Blog_09.18.24 DEI Blog_11.01.23 DEI Blog_05.29.24 恒温晶振、OCXO2012CO-100MHz-A-V DEI Blog_09.04.23 DEI Blog_10.03.24 PLL, 锁相环, 小尺寸, 高频应用, 基站, 卫星通信, UHF无线电链路低抖动 DEI Blog_01.15.25 DEI Blog_03.10.26 低成本 DEI Blog_07.03.24 DEI Blog_06.17.24 DEI Blog_12.24.24 DEI Blog_06.12.26 DEI Blog_11.01.24 DEI Blog_01.26.24 DEI Blog_01.13.25 低重力加速度 DEI Blog_06.03.24 DEI Blog_07.03.25 DEI Blog_06.01.26 DEI Blog_09.01.23 DEI Blog_02.25.26 DEI Blog 10.07.24 DEI Blog_06.26.26 DEI Blog_03.04.26 DEI Blog_06.25.25 DEI Blog_12.19.23