新闻搜索_恒温晶振|温补晶振|晶体振荡器|滤波器|时钟模块|OCXO|TCXO|Crystal oscillator|Crystal filter|timing module

[新闻公告]   SC Cut 晶体推荐电压范围与安全限值

2026-7-10     DEI Blog_07.10.26

SC 切晶体安全工作电压区间为 5–12V，最大允许电压可达 12V，具备极低电压敏感度与优异的抗波动能力。电压超标或纹波过大会造成过热、激励过载、噪声抬升及寿命衰减。配合低纹波稳压供电、合理功耗热设计并遵循厂商规范，可让 SC 切 OCXO 稳定维持高精度频率输出与长期可靠性。
Read more
[新闻公告]   最小化 SC 切晶体上电时间的最佳电压范围

2026-7-9     DEI Blog_07.09.26

供电电压是调控 SC 切晶振上电速度与工作性能的关键参数，OCXO 常规工作电压区间为 3.3V–12V，5V–12V为兼顾预热速度与能效的最优范围。电压越高恒温升温越快、上电收敛越迅速，但过高电压易造成温度不均、器件过载并增加功耗，需结合场景做好速度与能效的权衡。配合低纹波稳压供电，并严格遵循厂商规格限值，可在保障电路安全与长期频率稳定的前提下，最大化缩短 SC 切晶体上电稳定时间。
Read more
[新闻公告]   电源电压对 SC 切晶体上电启动时间的影响

2026-7-8     DEI Blog_07.08.26

电源电压直接影响 SC 切晶体的预热速度、振荡建立效率与热响应表现，电压越高，恒温槽加热越快、环路增益越充足，上电启动时间越短。电压过高易引发温度过冲，波动则会拖慢频率收敛，同时需在启动速度与功耗间做好平衡。SC 切晶体对电压波动敏感度极低，配合稳压供电与合理电路设计，可实现快速稳定启动，满足高精度授时系统的严苛要求。
Read more
[新闻公告]   影响 SC 切晶体上电启动时间的关键因素

2026-7-7     DEI Blog_07.07.26

SC 切晶体的上电启动速度受热学结构、温控系统、晶体物性、ESR 参数、振荡电路与外部环境多重条件共同制约。热质量、加热效率、拐点温度匹配度决定预热快慢，更高 ESR 会增加起振难度，环路增益、驱动电平与供电稳定性直接影响振荡建立效率。依托应力补偿特性，SC 切整体启动稳定表现优于 AT 切，通过优化热结构、温控算法与电路设计，可进一步缩短启动时长，满足高端授时设备快速就绪的工作需求。
Read more

DEI Blog_04.22.26 DEI Blog_02.14.24 DEI Blog_06.24.25 DEI Blog_06.18.29 DEI Blog_05.14.26 DEI Blog_09.05.24 DEI Blog_03.21.25 DEI Blog_01.16.25 DEI Blog_05.17.24 DEI Blog_11.04.25 晶体谐振器 HCMOS DEI Blog_08.02.24 DEI Blog_02.18.24 DEI Blog_04.14.26 DEI Blog_01.12.26 低功耗、快速预热启动、低老化和低相位噪声恒温晶振 DEI Blog_03.13.26 DEI Blog_08.27.24 高稳定性、低相位噪声、恒温晶振、OCXO3627CO-10MHz-B-V DEI Blog_05.22.25 时钟模块 DEI Blog_04.27.26 高性能 DEI Blog_02.16.24 DEI Blog_09.26.23 DEI Blog_09.013.23 DEI Blog_10.31.24 DEI Blog_06.13.24 DEI Blog_04.22.25 DEI Blog_06.20.24 DEI Blog_09.01.23