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[新闻公告]   新产品发布：TCXO温补晶振 - 贴片式方波输出温补晶振VCTCXO1487BE-4P_HCMOS

2026-7-2     TCXO、温补晶振、贴片式、VCTCXO

VCTCXO1487BE-4P_HCMOS 是迪拉尼推出的 14.3×8.7mm 贴片式方波温补晶振，面向工业级高稳、低相噪场景。产品覆盖 0.001–600MHz 宽频，支持 - 40℃至 + 80℃宽温，具备 ±0.5ppm 温稳、±1ppm 年老化、低至 - 145dBc/Hz@20MHz/100kHz 的优异相噪，且宽电压适配、抗严苛环境、易集成量产，是射频通信、卫星系统、高精度定位等领域的核心时钟源。
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[新闻公告]   什么是扩频调制？如何测量扩频调制？扩频调制有多重要

2026-7-1     DEI Blog_07.01.26

扩频调制是现代无线通信核心技术，通过将窄带信号扩展为宽带信号，实现抗干扰、高通信隐私与高效频谱共享。可通过频谱仪频域观测、示波器时域分析与信号解调完成参数测量，广泛应用于 CDMA 通信、蓝牙、无线遥控等场景，有效提升无线系统的稳定性、安全性与频谱利用效率。
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[新闻公告]   SC 切晶体较高的 ESR 如何影响相位噪声性能

2026-6-30     DEI Blog_06.30.26

SC 切晶体较高的 ESR 会带来热噪声升高、环路增益噪声及自热频扰，对相位噪声存在一定负面影响。但凭借更高 Q 值、优异的应力补偿结构与极低老化特性，SC 切可从根本上压制噪声劣化，结合低噪声电路优化后，整体相位噪声性能全面优于 AT 切，动态环境下频谱纯度更高、长期性能更稳定，是基站、雷达、卫星及精密仪器等低相噪高端应用的优选。
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[新闻公告]   SC 切晶体较高的 ESR 如何影响频率稳定性

2026-6-29     DEI Blog_06.29.26

SC 切晶体较高的 ESR 会带来环路损耗、轻微自热效应与驱动电平敏感度，小幅影响短期频率特性。但依托 SC 切原生应力补偿、高 Q 值、超低老化特性，搭配 OCXO 精密恒温控制与优化振荡电路，可完全抵消高 ESR 带来的微弱扰动，不会损伤长期、宽温与相位噪声性能。整体来看，高 ESR 属于可工程优化的次要短板，不影响 SC 切晶体远超 AT 切的顶级频率稳定优势。
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DEI Blog_10.09.25 DEI Blog_10.11.23 低相位噪声、高频率、TCXO DEI Blog_12.30.24 PLXO DEI Blog_11.20.23 DEI Blog_02.17.24 DEI Blog_04.26.24 DEI Blog_04.17.24 DEI Blog_06.28.24 DEI Blog_10.27.25 晶体单元 DEI Blog_02.10.24 特殊定制频率、温补晶振、TCXO5300CL-10.23MHz-A DEI Blog_03.04.26 DEI Blog_12.15.25 DEI Blog_06.11.26 DEI Blog_02.26.24 超低功耗 DEI Blog_04.17.25 DEI Blog_12.22.25 DEI Blog_01.28.26 DEI Blog_12.25.23 OCXO, 恒温晶体振荡器 DEI Blog_01.23.24 DEI Blog_03.11.26 DEI Blog_10.16.25 DEI Blog_12.12.25 DEI Blog_10.13.25 DEI Blog_03.13.26 DEI Blog_12.19.24 DEI Blog_09.12.23