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[新闻公告]   SC 切晶体较高的 ESR 如何影响相位噪声性能

2026-6-30     DEI Blog_06.30.26

SC 切晶体较高的 ESR 会带来热噪声升高、环路增益噪声及自热频扰，对相位噪声存在一定负面影响。但凭借更高 Q 值、优异的应力补偿结构与极低老化特性，SC 切可从根本上压制噪声劣化，结合低噪声电路优化后，整体相位噪声性能全面优于 AT 切，动态环境下频谱纯度更高、长期性能更稳定，是基站、雷达、卫星及精密仪器等低相噪高端应用的优选。
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[新闻公告]   SC 切晶体较高的 ESR 如何影响频率稳定性

2026-6-29     DEI Blog_06.29.26

SC 切晶体较高的 ESR 会带来环路损耗、轻微自热效应与驱动电平敏感度，小幅影响短期频率特性。但依托 SC 切原生应力补偿、高 Q 值、超低老化特性，搭配 OCXO 精密恒温控制与优化振荡电路，可完全抵消高 ESR 带来的微弱扰动，不会损伤长期、宽温与相位噪声性能。整体来看，高 ESR 属于可工程优化的次要短板，不影响 SC 切晶体远超 AT 切的顶级频率稳定优势。
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[新闻公告]   较高 ESR 对 SC 切晶体启动时间的影响

2026-6-26     DEI Blog_06.26.26

SC 切晶体因等效串联电阻（ESR）较高，会增大谐振回路损耗、延缓振荡建立，从而轻微延长 OCXO 启动时间。这一问题可通过优化电路负阻、提升驱动电平等设计手段有效改善。尽管启动速度略逊于 AT 切，但其凭借极低老化率、优异宽温稳定性、低相位噪声和强抗应力能力，在 5G 基站、航天、雷达等高端精密授时场景中仍具备不可替代的核心价值，启动延迟的微小代价完全可被其顶级性能所覆盖。
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[新闻公告]   理解 SC 切晶体较高等效串联电阻（ESR）的影响

2026-6-25     DEI Blog_06.25.26

SC 切晶体虽具备卓越的频率稳定度与老化性能，但其等效串联电阻（ESR）高于 AT 切晶体，会对振荡电路的环路增益、起振速度、设计复杂度及整机功耗带来一定挑战，同时存在杂散谐振风险与更高的制造成本。不过凭借其极低的老化率、优异的应力抗性、高 Q 值与出色相位噪声，在高精度 OCXO、5G 通信、航空航天及测试仪器等核心场景中仍不可替代，通过电路优化可有效管控 ESR 带来的不利影响。
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