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[新闻公告]   较高 ESR 对 SC 切晶体启动时间的影响

2026-6-26     DEI Blog_06.26.26

SC 切晶体因等效串联电阻（ESR）较高，会增大谐振回路损耗、延缓振荡建立，从而轻微延长 OCXO 启动时间。这一问题可通过优化电路负阻、提升驱动电平等设计手段有效改善。尽管启动速度略逊于 AT 切，但其凭借极低老化率、优异宽温稳定性、低相位噪声和强抗应力能力，在 5G 基站、航天、雷达等高端精密授时场景中仍具备不可替代的核心价值，启动延迟的微小代价完全可被其顶级性能所覆盖。
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[新闻公告]   理解 SC 切晶体较高等效串联电阻（ESR）的影响

2026-6-25     DEI Blog_06.25.26

SC 切晶体虽具备卓越的频率稳定度与老化性能，但其等效串联电阻（ESR）高于 AT 切晶体，会对振荡电路的环路增益、起振速度、设计复杂度及整机功耗带来一定挑战，同时存在杂散谐振风险与更高的制造成本。不过凭借其极低的老化率、优异的应力抗性、高 Q 值与出色相位噪声，在高精度 OCXO、5G 通信、航空航天及测试仪器等核心场景中仍不可替代，通过电路优化可有效管控 ESR 带来的不利影响。
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[新闻公告]   新产品发布：VCO压控振荡器 - 高频低相位噪声电压控制振荡器VCO1212BQ-1428MHz-1547MHz-A

2026-6-25     VCO、压控振荡器、高频、低相位噪声

迪拉尼推出 VCO1212BQ-1428MHz-1547MHz-A 高频压控振荡器，具备 1428–1547MHz 宽调谐范围、优异低相位噪声、高调谐灵敏度及良好谐波抑制性能，采用 12.7×12.7×3.9mm 紧凑封装，可满足严苛空间设计需求，广泛适用于卫星通信、雷达、点对点微波通信及广播发射等系统，为高质量频率生成与信号传输提供可靠支撑。
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[新闻公告]   应力补偿在提升 SC 切晶体老化性能中的核心作用

2026-6-24     DEI Blog_06.24.26

应力补偿是 SC 切晶体相较于 AT 切实现超低老化、超高长期稳定的核心机制，可有效抵消装配镀膜、振动姿态、温度循环带来的各类应力干扰，大幅降低应力诱发的频率漂移。该特性使 SC 切晶体老化速率降低一个数量级，老化曲线线性平稳、可预判补偿，且全温域抗老化性能优异，能够减少设备校准频次、降低运维成本，是 OCXO 在 5G 通信、航空航天、精密仪器等高端场景实现长期高精度授时的关键。
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DEI Blog_03.19.26 DEI Blog_01.27.26 DEI Blog_11.27.25 DEI Blog_04.23.26 DEI Blog_12.02.24 DEI Blog_12.18.23 DEI Blog_05.23.25 DEI Blog_02.20.25 DEI Blog_09.02.23 DEI Blog_03.12.25 DEI Blog_02.27.24 DEI Blog_03.21.24 DEI Blog_04.25.25 DEI Blog_10.30.25 DEI Blog_03.19.24 DEI Blog_06.03.25 DEI Blog_01.21.25 DEI Blog_10.17.25 DEI Blog_04.16.24 DEI Blog_12.04.25 PLXO DEI Blog_02.19.24 DEI Blog_09.30.25 低相位噪声、电压控制晶体振荡器、VCXO DEI Blog_02.18.25 DEI Blog_09.13.24 DEI Blog_09.27.24 DEI Blog_04.11.25 Very Low Power High Stability OCXO DEI Blog_11.28.25 超低功耗 DEI Blog_11.24.25