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[新闻公告]   应力补偿在提升 SC 切晶体老化性能中的核心作用

2026-6-24     DEI Blog_06.24.26

应力补偿是 SC 切晶体相较于 AT 切实现超低老化、超高长期稳定的核心机制，可有效抵消装配镀膜、振动姿态、温度循环带来的各类应力干扰，大幅降低应力诱发的频率漂移。该特性使 SC 切晶体老化速率降低一个数量级，老化曲线线性平稳、可预判补偿，且全温域抗老化性能优异，能够减少设备校准频次、降低运维成本，是 OCXO 在 5G 通信、航空航天、精密仪器等高端场景实现长期高精度授时的关键。
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[新闻公告]   晶体表面变化对 SC 切晶体老化的影响

2026-6-23     DEI Blog_06.23.26

晶体表面氧化、杂质沉积、应力变动等物理化学变化，是石英晶体频率老化的重要诱因，但相较于 AT 切晶体，SC 切晶体凭借高 Q 值、原生应力补偿结构与低激励敏感度的特性，大幅削弱了表面变化带来的频率漂移与性能损耗，老化速率显著更低、长期频漂更平稳可控。这一特性让 SC 切晶体具备超长周期高精度稳定性，可满足通信基站、航天雷达、精密测量仪器等高端场景的长效授时需求。
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[新闻公告]   内部污染与 SC 切晶体其他老化因素的对比分析

2026-6-22     DEI Blog_06.22.26

本文系统对比了 SC 切晶体五大老化影响因素的差异，包括内部污染、机械应力、材料劣化、温度变化与电激励效应。其中内部污染短期频偏影响最明显，但可通过密封、真空悬浮与洁净工艺有效控制；机械应力与材料劣化短期影响微弱、长期持续累积，是决定 SC 切晶体极限寿命的核心因素。依托天然应力补偿、高拐点温特性与高 Q 值优势，SC 切对温度、电激励及机械扰动抗性极强，整体老化性能显著优于 AT 切晶体，为高端 OCXO 长期稳定工作提供坚实保障。
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[新闻公告]   内部杂质污染对 SC 切晶体老化性能的影响

2026-6-18     DEI Blog_06.18.29

SC 切晶体原生具备优异的低老化、高稳定特性，但 OCXO 腔体内部的材料放气、水汽渗入、工艺残留、化学反应等杂质污染，会加剧晶体频率漂移、衰减 Q 值、偏移零温漂拐点并抬升信号噪声，严重削弱其长期精密性能。通过高气密封装、低放气材料、超精密清洗、真空悬浮结构及严苛质检等工艺手段，可有效抑制内部污染，完整保留 SC 切晶体的超低老化优势，保障 5G 通信、航空航天、精密仪器等高端场景的长期高精度授时稳定性。
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DEI Blog_11.05.25 DEI Blog_01.15.25 DEI Blog_02.01.24 DEI Blog_04.30.24 DEI Blog_02.09.24 DEI DEI Blog_03.24.26 DEI Blog_12.29.23 DEI Blog_02.28.26 DEI Blog_01.09.24 DEI Blog_11.12.25 DEI Blog_07.31.24 DEI Blog_08.13.25 DEI Blog_09.02.25 DEI Blog_12.30.25 DEI Blog_01.18.24 DEI Blog_08.01.25 DEI Blog_10.07.23 DEI Blog_08.05.25 DEI Blog_11.27.24 DEI Blog_06.01.26 DEI Blog_04.07.25 DEI Blog_11.07.24 DEI Blog_03.19.26 DEI Blog_03.31.26 温补晶振 DEI Blog_05.27.24 DEI Blog_04.19.24 低噪声放大器 DEI Blog_07.08.25 低功耗、定时模块、TM2525CV-LP DEI Blog_02.10.26