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  • [新闻公告]   OCXO 中 SC 切与 AT 切晶体的老化性能对比
    2026-6-16     DEI Blog_06.16.26
    本文对比 OCXO 中 SC 切与 AT 切晶体的老化性能，SC 切凭借应力补偿结构，年老化速率仅为 AT 切的十分之一，长期累积频漂更低、时序一致性更强，抗温度与机械应力效果优异，可大幅延长校准周期、降低运维成本。适合 5G 基站、卫星航天、精密仪器等长期高精度场景；而 AT 切老化漂移偏大，仅适用于普通消费与低成本物联网设备。
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