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  • [新闻公告]   内部杂质污染对 SC 切晶体老化性能的影响
    2026-6-18     DEI Blog_06.18.29
    SC 切晶体原生具备优异的低老化、高稳定特性，但 OCXO 腔体内部的材料放气、水汽渗入、工艺残留、化学反应等杂质污染，会加剧晶体频率漂移、衰减 Q 值、偏移零温漂拐点并抬升信号噪声，严重削弱其长期精密性能。通过高气密封装、低放气材料、超精密清洗、真空悬浮结构及严苛质检等工艺手段，可有效抑制内部污染，完整保留 SC 切晶体的超低老化优势，保障 5G 通信、航空航天、精密仪器等高端场景的长期高精度授时稳定性。
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